Los circuitos integrados GaN HEMT protegen los teléfonos contra el sobrecalentamiento durante la carga

OPPO usa dispositivos BiGaN dentro de su teléfono para controlar las corrientes de carga y descarga de la batería. Supuestamente, esta es la primera vez que esta protección, basada en la tecnología GaN, se integra en el propio teléfono, en lugar de dentro del cargador.

Los MOSFET de silicio se han utilizado como interruptores de alimentación en teléfonos móviles. Sin embargo, no solo ocupa mucho espacio en la PCB principal del teléfono celular, sino que también puede causar un sobrecalentamiento significativo y pérdida de energía cuando se carga rápidamente.

InnoGaN tiene propiedades beneficiosas como alta frecuencia, alta eficiencia y baja resistencia, que son factores vitales para una carga eficiente.

Gracias al bajo nivel de R en InnoGaN_{DS (reproducción)}y el hecho de que no contiene diodos parásitos, y la ventaja bidireccional de la tecnología BiGaN de Innoscience, BiGaN HEMT se puede usar para reemplazar los MOSFET NMOS conectados espalda con espalda en una configuración de fuente común para lograr la conmutación bidireccional de la carga de la batería y corrientes de descarga

Esto reduce la resistencia de la carcasa en un 50 %, el tamaño del chip en un 70 % y el aumento de temperatura en un 40 %.

El primer dispositivo BiGaN lanzado generalmente por Innoscience es INN040W0488, un HEMT bidireccional de GaN sobre silicio de 40 V en un paquete WLCSP de 2,1 mm × 2,1 mm.

El chip es compatible con la conmutación bidireccional con una impedancia de estado activado tan baja como 4,8 MΩ. BiGaN se enfoca en aplicaciones tales como circuitos de protección contra sobrevoltaje para la carga de teléfonos inteligentes, circuitos de conmutación de carga de lado alto y circuitos de conmutación para múltiples sistemas de energía.

Innoscience también extiende las camas bidireccionales para reducir la resistencia a nivel nacional y los voltajes más altos.