Las nuevas tarjetas microSD de Samsung ofrecen alto rendimiento y capacidad para la nueva era de la informática móvil y la IA en el dispositivo – Samsung Global Newsroom

Samsung está probando una tarjeta microSD SD Express de 256 GB, la primera en la industria, que ofrece velocidades cuatro veces más rápidas que la interfaz actual.

La tarjeta microSD UHS-1 de 1TB de Samsung se produce en masa basándose en la última tecnología V-NAND

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado a probar su memoria de 256 GB.¹ SD expreso² La tarjeta microSD tiene una velocidad de lectura secuencial de hasta 800 megabytes por segundo (MB/s) y ha comenzado la producción en masa de la tarjeta de 1 terabyte (TB).³ Tarjeta Micro SD UHS-1. Con la introducción de la línea de tarjetas microSD de próxima generación, Samsung tiene como objetivo proporcionar las diversas soluciones de memoria necesarias para la informática móvil futura y las aplicaciones de IA en los dispositivos.

“Con las dos nuevas tarjetas microSD, Samsung ha proporcionado soluciones efectivas para satisfacer las crecientes demandas de la informática móvil y la IA en los dispositivos”, afirmó Hanjo Son, vicepresidente del equipo comercial de productos de marca de memoria de Samsung Electronics. «A pesar de su pequeño tamaño, estas tarjetas de memoria ofrecen un potente rendimiento similar al de una SSD y la capacidad de ayudar a los usuarios a sacar más provecho de las exigentes aplicaciones actuales y preparadas para el futuro».

La primera tarjeta microSD SD Express de la industria ofrece velocidades máximas de hasta 800 MB/s

Por primera vez en la industria, Samsung ha presentado una nueva tarjeta microSD de alto rendimiento basada en la interfaz SD Express. El desarrollo fue el resultado de una colaboración exitosa con el cliente para crear un producto personalizado.

Con su diseño de bajo consumo y tecnología de firmware optimizada para un alto rendimiento y gestión térmica, la tarjeta microSD SD Express de Samsung ofrece un rendimiento equivalente a los SSD en un factor de forma compacto. Mientras que las velocidades de lectura de las tarjetas microSD tradicionales basadas en la interfaz UHS-1 estaban limitadas a 104 MB/s, SD Express pudo aumentarlas a 985 MB/s, aunque la disponibilidad comercial de esta última aún no era viable en tarjetas microSD.

La velocidad de lectura secuencial de la tarjeta microSD SD Express de Samsung es de hasta 800 MB/s, 1,4 veces más rápida que las SSD SATA (hasta 560 MB/s) y más de cuatro veces más rápida que las tarjetas de memoria UHS-1 convencionales (hasta 200 MB/s). permitiendo experiencias informáticas mejoradas en diversas aplicaciones, incluidas computadoras personales y dispositivos móviles. Para garantizar un rendimiento estable y confiabilidad para un factor de forma pequeño, la tecnología Dynamic Thermal Guard (DTG) mantiene la temperatura ideal de la tarjeta microSD SD Express, incluso durante sesiones de uso prolongadas.

Tarjeta microSD UHS-1 de 1 TB con V-NAND avanzada de 1 TB

La nueva tarjeta microSD de 1TB de Samsung incluye ocho capas de V-NAND de 1TB (Tb) de octava generación de la compañía dentro del factor de forma microSD, logrando el paquete de alta capacidad que solo era posible en los SSD. La nueva tarjeta microSD de 1TB pasa las pruebas más estrictas de la industria y ofrece un uso confiable incluso en entornos difíciles, con características como protección contra el agua, temperaturas extremas, diseño resistente a caídas, protección contra la corrosión, así como protección magnética y contra rayos X. .⁴

Disponibilidad

Una tarjeta microSD Express de 256 GB estará disponible para su compra a finales de este año, y el lanzamiento de una tarjeta microSD UHS-1 de 1 TB está programado para el tercer trimestre de este año.

¹ 1 gigabyte (GB) = 1.000.000.000 bytes (mil millones de bytes). La capacidad utilizable real puede variar.
² SD Express: nueva interfaz de tarjeta SD con PCIe Gen3x1 (basada en la especificación SD 7.1 lanzada en febrero de 2019), la velocidad de transferencia teórica de SD Express es de 985 MB/s
³ 1 terabyte (TB) = 1.000.000.000.000 bytes (1 billón de bytes). La capacidad utilizable real puede variar
⁴ Samsung no es responsable de ningún daño y/o pérdida de datos o gastos incurridos por la recuperación de datos de la tarjeta de memoria. Las seis guías reclamadas solo se aplican a la tarjeta microSD UHS-1 de 1 TB, no a la tarjeta microSD SD Express de 256 GB. 1 metro de profundidad, agua salada, 72 horas. Las temperaturas de funcionamiento son de -25 °C a 85 °C (-13 °F a 185 °F), y las temperaturas fuera de funcionamiento son de -40 °C a 85 °C (-40 °F a 185 °F). Resiste máquinas de rayos X estándar de aeropuerto (hasta 100 mGy). El campo magnético es equivalente a un escáner de resonancia magnética de alto campo (hasta 15.000 Gauss). Resiste caídas desde hasta 5 metros (16,4 pies). Hasta 10.000 golpes.