Artículo de: George Leopold
Los investigadores coreanos han confirmado que una alternativa al silicio podría desbloquear una nueva generación de dispositivos electrónicos.
La perovskita se describe a menudo como un material electrónico prometedor para Aplicaciones optoelectrónicas. Los investigadores de materiales informaron esta semana sobre el progreso en la fabricación de películas delgadas basadas en semiconductores de perovskita que producen sustratos con propiedades electrónicas sintonizables.
Los investigadores enfatizan que esto podría expandir el uso de la alternativa del silicio en futuros dispositivos electrónicos.
Los investigadores del Instituto de Investigación de Ciencia y Tecnología de Gwangju en Corea del Sur dijeron que sus películas delgadas se basan en un sustrato que se usa con frecuencia en el cultivo de películas de óxido. titanato de estroncioo SrTiO3. La estructura de perovskita tiene una constante dieléctrica alta.
Los investigadores dijeron que observaron cambios en la superficie del sustrato sin interferencia del dopaje. “La presencia de dopaje puede interferir con la interpretación correcta de los estados de defectos superficiales, lo que puede ser crucial para [determining] «Las propiedades eléctricas de las estructuras heterogéneas», dijo el investigador principal Bong Jin Simon Moon.
Como resultado, los investigadores dijeron que pudieron medir las «propiedades no sesgadas del sustrato SrTiO3».
Los investigadores de Guangzhou utilizaron espectroscopía de fotoelectrones de rayos X a presión ambiental y difracción de electrones de baja energía para determinar cómo las técnicas de fabricación afectan al SrTiO3. Además de examinar los efectos sobre la superficie desplegada, también consideraron la capa de interfaz resultante de la estructura heterogénea.
«Nuestro trabajo muestra claramente cómo se pueden sintonizar las propiedades eléctricas de los dispositivos modulando la cantidad de electrones cerca del área de la superficie, un resultado fundamental y muy importante que indica que los dispositivos electrónicos futuros se pueden lograr caracterizando materiales a nivel atómico», agregó. Dijo Moon.
En un artículo de investigación publicado en Revista de Química de Materiales C, los investigadores dijeron que sus hallazgos «indican que la estructura electrónica de la superficie del sustrato tiene una mayor influencia en las propiedades de las heteroestructuras complejas de óxido que otros parámetros».
«A largo plazo, nuestro estudio sobre SrTiO3 sentará una base sólida para dispositivos electrónicos avanzados», enfatizó Moon.
Los dispositivos basados en perovskita podrían incluir energía fotovoltaica combinada de material y silicio junto con energía fotovoltaica de unión simple y múltiple, nuevos LED y película delgada utilizados en punto cuántico Conversión y mejora del color.
El rastreador de mercado IDTechX señaló en una encuesta reciente de materiales electrónicos emergentes que existen «amplias oportunidades para semiconductores orgánicos innovadores en múltiples aplicaciones».
Este artículo fue publicado originalmente E veces.
George Leopold Ha escrito sobre ciencia y tecnología desde Washington, DC desde 1986. Además del EE Times, el trabajo de Leopold ha aparecido en el New York Times, New Scientist y otras publicaciones. Vive en Reston, Virginia.
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